반도체/반도체 지식

산화막 (oxide film)의 용도와 특징 및 형성 방법

산화막(oxide film)이란 산화막(oxide film)은 전기가 통하지 않는 절연 물질로서, 반도체 공정에서 의도하지 않은 곳에 전기가 흐르지 않도록 전류를 막아주는 barrier 역할을 한다. 반도체 소자를 만들 때, 절연이 필요한 여러 곳에 다양한 방식으로 산화막을 형성한다. 이번 포스팅에서는 산화막의 용도와 특징 그리고 형성 방법에 관해서 알아보도록 하겠다. 산화막(oxide film) 용도 하나의 반도체 소자를 제작할 때, 아래 그림처럼 매우 다양한 부분에 산화막이 사용된다. 트랜지스터를 형성하기 전에 개별 트랜지스터를 분리하는 *isolation 공정에서 field oxide로 사용된다. 트랜지스터의 gate를 구성하는 gate oxide로 사용된다. 도핑 물질이 diffusion 되지 않..

2023. 7. 9. 21:55

반도체/반도체 지식

isolation 공정: STI (Shallow Trench Isolation)

들어가는 글 이전 포스팅에서 isolation 공정 중 과거에 사용되던 기법인 LOCOS 기법에 관해 알아보았다. 이번 포스팅에서는 isolation 공정 중 현재까지 사용되고 있는 최신 기법인 STI (Shallow Trench Isolation) 기법에 관해 알아보도록 하겠다. STI에 관해 살펴보기 전에 isolation의 기본 개념과 LOCOS 기법에 관한 이전 포스팅을 읽어보시길 추천한다. https://selectroing.tistory.com/entry/isolation-%EA%B3%B5%EC%A0%95-LOCOS-LOCal-Oxidation-of-Silicon STI (Shallow Trench Isolation) 개념 STI 기법은 앞서 설명했듯이 LOCOS 기법의 단점인 bird's b..

2023. 7. 7. 08:00

반도체/반도체 지식

isolation 공정: LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon)

들어가는 글 반도체를 만들 때 특정 구조를 형성하는 공정 기술을 일컫는 용어가 많이 있다. 예를 들어 서로 다른 소자 사이를 전기적으로 분리하는 isolation 공정, 빈 공간을 미리 만든 뒤 Cu를 채우는 damacine 공정 등 다양한 기술이 존재한다. 그중 이번 포스팅에서는 isolation 공정, 그중에서도 LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) 기법에 관해 알아보도록 하겠다. isolation 의미 하나의 소자(일반적으로 트랜지스터)가 동작할 때, 주변에 있는 다른 소자에 전기적으로 영향을 끼치지 않도록 소자 사이에 절연 물질을 채워 소자를 전기적으로 분리하는 기술이다. 금속배선과 같은 후공정까지 잘 진행했더라도 가장 초반에 진행하는 이 isolation 공정을 제대로 ..

2023. 7. 6. 20:11